歷史發展
1947年:貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑;集成電路
集成電路1950年:結型晶體管誕生; 1950年: R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝; 1951年:場效應晶體管發明; 1956年:C S Fuller發明了擴散工藝; 1958年:仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史; 1960年:H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝; 1962年:美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管; 1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝; 1964年:Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍; 1966年:美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列(50門); 1967年:應用材料公司(Applied Materials)成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司; 1971年:Intel推出1kb動態隨機存儲器(DRAM)，標志著大規模集成電路出現; 1971年:全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明; 1974年:RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802; 1976年:16kb DRAM和4kb SRAM問世; 1978年:64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路(VLSI)時代的來臨; 1979年:Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC; 1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世; 1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM; 1985年:80386微處理器問世，20MHz; 1988年:16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路(VLSI)階段; 1989年:1Mb DRAM進入市場; 1989年:486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝; 1992年:64M位隨機存儲器問世; 1993年:66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝; 1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝;集成電路
1997年:300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝; 1999年:奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝; 2000年:1Gb RAM投放市場; 2000年:奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝; 2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。 2003年:奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。 2005年:intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。 2007年:基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年:intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。
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